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    贝斯特官网最新版IRF540中文资料ahref=/items//a中文资料第1页精选内容:文件号码:,2008年6月16日1功率MOSFETIRF540,SIHF540VISHAYSILICONIX特征动态DV/DT额定值重复性雪崩额定175°C的工作温度快速切换易于并联简单的驱动器要求无铅(PB)-可用描述来自VISHAY的第三代功率MOSFET提供设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用设备设计,低导通电阻和成本效益.TO-220封装是所有人普遍的首选商用工业应用功耗电平约为50W.低热阻而TO-220的低封装成本也是其广泛的贡献接受整个行业.笔记一个.重复评级;脉宽受最大结温限制(见图11).湾VDD=25V,开始TJ=25℃,L=440μH,RG=25Ω,IAS=28A(见图12).≤28A,DI/DT≤170A/μS,VDD≤VDS,TJ≤175°距离表壳毫米.产品摘要VDS(V)100RDS(ON)(Ω)VGS=(MAX.)(NC)72QGS(NC)11QGD(NC)32组态单N沟道MOSFETGD小号TO-220GD小号可得到ROHS指令*柔顺订购信息包TO-220无铅(PB)IRF540PBFSIHF540-E3锡铅IRF540SIHF540绝对最大额定值TC=25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压VDS100V门源电压VGS±20连续的漏极电流VGS在10VTC=25℃我D28一个TC=100℃20脉冲漏电流A我DM110线性降额因子厕所单脉冲雪崩能量BEAS230兆焦耳重复性雪崩电流A我AR28一个重复雪崩能量AEAR15兆焦耳最大功率耗散TC=25℃^峰值二极管恢复DV/DTC的DV//NS结温和存储温度范围TJ,TSTG-55到+175C焊接建议(峰值温度)持续10秒300D安装扭矩”(明翔)

    另外,疫情还在继续,外围产业链陆续停滞,相反,国内产业链已正式陆续大规模复工复产,全球范围内的撕裂已不可避免。LM2903DR中文资料LM2903DR中文资料第11页精选内容:±101234五时间(USEC)5MV外径20MV外径100MV外径C004±101234五6±时间(USEC)5MV外径20MV外径100MV外径C006LM193,LM293,LM293A,LM393,LM393A,LM2903,年10月-修订2015年6月1.当IN和IN+都在共模范围内时:(A)如果IN-高于IN+和失调电压,则输出为低电平,输出晶体管吸入当前(B)如果IN-低于IN+和失调电压,则输出为高阻抗,输出晶体管为不行2.当IN-高于普通模式且IN+在普通模式时,输出为低电平并输出晶体管正在吸收电流3.当IN+高于共模,IN-在共模内时,输出为高阻抗输出晶体管不导通4.当IN和IN+都高于共模时,输出为低电平,输出晶体管吸入当前最小过驱动电压过驱动电压是比较器正极输入和负极输入之间产生的差分电压超过偏移电压(VIO).为了做出准确的比较,应该是过驱动电压(VOD)高于输入失调电压(VIO).过驱电压也可以决定响应时间比较器,响应时间随着过驱的增加而减小.图8和图9显示正面和过驱动电压的负响应时间.输出和驱动电流输出电流由负载/上拉电阻和逻辑/上拉电压决定.输出电流会从比较器产生输出低电压(VOL).其中VOL与输出电流成正比.使用基于输出电流确定VOL的典型特性.输出电流也会影响瞬态响应.请参阅响应时间了解更多信息.响应时间瞬态响应可以通过负载电容(CL),负载/上拉电阻(RPULLUP)来确定等效的集电极-发射极电阻(RCE).积极的响应时间(τP)近似为τPRPULLUP×CL负面响应时间(τN)近似为τNRCE×贝斯特官网最新版

    贝斯特官网最新版2N7000中文资料2N7000中文资料第2页精选内容:2N7000/2N7002,VQ1000J/P,文件号:,16-JUL-01绝对最大额定值(TA=25_C,除非另有说明)单总四分之一参数符号2N70002N7002VQ1000JVQ1000PVQ1000J/PBS170单元漏源电压VDS6060606060门源电压-非重复性VGSM“40“40“30“25V门源电压连续VGS“20“20“20“20“20连续的漏极电流TA=25_连续的漏极电流(TJ=150℃)TA=100_C我一个脉冲漏电流A我=25_功耗TA=100_^热阻,结到环境_C/W操作连接点和存储温度范围TJ,TSTG-55至150_C笔记一个.脉宽受最大结温限制.湾TPV50MS.规格2N7000和2N7002(TA=25_C,除非另有说明)范围2N70002N7002参数符号测试条件典型的A敏马克斯敏马克斯单元静态的漏源击穿电压V(BR)DSSVGS=0V,ID=10MA706060VDS=VGS,ID=门限电压VGS(TH)VDS=VGS,ID==0V,VGS=“15V“10门体泄漏我GSSVDS=0V,VGS=“20V“100NA的VDS=48V,VGS=0V1TC=125℃1000米零栅极电压漏极电流我DSSVDS=60V,VGS=0V1嘛TC=125℃500VDS=10V,VGS=开态漏电流B我D(上)VDS=7.

    3、健身运动:移植后要防止用气力的健身运动,可适度主题活动身体,但需防止偏激的健身运动,尽量减少提吊物。

    MOC3023中文资料MOC3023中文资料第5页精选内容:MOC3020THRUMOC3023光电耦合器/光隔离器SOES025-1986年10月-修订1995年10月7-5邮政信箱655303达拉斯,得克萨斯州75265机械信息每个器件由一个砷化镓红外发射二极管光耦合到一个硅PHOTOTRIAC安装在封装在不导电塑料化合物内的6端子引线框上.该外壳可以承受焊接温度而不会变形,并保持器件的性能特征在高湿度条件下运行稳定.C0,534()0,381()6个地方座位飞机C大号大号7,62()TP(见注释A)6,61()6,09()0,305()0,203()3,81()3,17()5,46()2,95()1,78()0,51()2,03()1,52()4个地方2,54()TP(见注释A)1,01()MIN1,78()MAX6个地方9,40()8,38()索引点(见注B)105°90°1236五4(见注释C)注意事项:A.导线在真实位置(TP)的半径为()的范围内,并安装最大的材料条件和单位.B.由索引点标识的引脚终端连接:1.阳极(红外发光二极管的一部分)2.阴极(红外发射二极管的一部分)3.没有内部连接4.主端子(光电晶体管的一部分)5.双向可控硅衬底(不要连接)(光电晶体管的一部分)6.主端子(光电晶体管的一部分)D.尺寸在JEDECMO-001AM尺寸范围内.E.所有线性尺寸均以毫米为单位,括号内以英寸给出.图8.机械信息74HC14D中文资料74HC14D中文资料第19页精选内容:74HC_HCT14本文档提供的所有信息均受法律免责声明保护.恩智浦BV2012.保留所有权利.产品数据表2012年9月6日至19日19的21恩智浦半导体74HC14;74HCT14十六进制反转施密特触发器19.法律信息数据表状态[1]请在启动或完成设计之前查阅最近发布的文档.[2]术语“短数据表”在“定义”一节中进行了解释.[3]本文档中描述的设备的产品状态可能在本文档发布后发生变化,并且在多个设备的情况下可能会有所不同.最新的产品状态有关信息可以在网址HTTP://上找到.定义草案-文件仅为草案版本.内容还在内部审查和正式批准,可能会导致修改或添加.恩智浦半导体不给任何陈述或保证的准确性或完整性包含在这里的信息,并且对后果不承担任何责任使用这些信息.简短的数据表-简短的数据表是来自完整数据表的摘录具有相同的产品型号和标题.一个简短的数据表是打算仅供快速参考,不应依赖于详细说明完整的信息.有关详细和完整的信息,请参阅相关的完整数据可通过当地恩智浦半导体销售部门索取办公室.如果与短数据表有任何不一致或冲突,应以完整的数据表为准.产品规格-产品中提供的信息和数据数据表应按照约定的方式定义产品的规格恩智浦半导体及其客户,除非恩智浦半导体和客户已经以书面形式明确表示同意.然而,在任何情况下,恩智浦半导体产品的协议应是有效的被视为提供了超出上述范围之外的功能和品质产品数据表.免责声明有限保修和责任-本文件中的信息被认为是准确可靠.但是,恩智浦半导体并没有给予任何陈述或保证,明示或暗示,准确性或这些信息的完整性,对此不承担任何责任使用这些信息的后果.恩智浦半导体不采纳如果信息提供,则对本文件中的内容负责恩智浦半导体以外的来源.恩智浦半导体不对任何间接的,附带的,惩罚性的,特殊的或相应的损害赔偿(包括但不限于-损失利润,储蓄损失,业务中断贝斯特官网最新版

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